产 品 说 明                                                                                                                    

InGaAs光电探测器

大面积InGaAs光电二极管

• 高响应率

• 高旁路电阻

• 低电容:高速

• 高可靠性的平板设计

 

电特性@25°C

型号            GAP500      GAP1000       GAP2000      GAP3000   GAP5000

激活区直径(mm)   0.5           1.0             2.0            3.0        5.0

响应率@850nm   0.10(0.20)      0.10(0.20)     0.10(0.20)      0.10(0.20)    0.10(0.20)

A/W最小(典型)1300nm 0.80(0.90)  0.80(0.90)    0.80(0.90)      0.80(0.90)   0.80(0.90)

1550nm           0.95          0.95            0.95        0.95        0.95

暗电流nA最大(典型)30(6)@5V  100(25)@5V 200(50)@1V 500(200)@1V 10µA(5µA)@0.3V

CT@0V pF最大(典型)40(20)      120(80)       500(300)       1000(600)   1500(1000)

CJ@-5V pF最大(典型)10(8)      50(30)        150(100)@-3V  300(250)@-2V    n/a

带宽50Ω-3dB       200(5V)    40(5V)        5.3(0V)       4.0(0V)         1.0(0V)

Tr RL=50Ω ns(典型)   2.5(5V)    5.0(5V)       50(0V)         100(0V)      300(0V)

RS MΩ最小(典型)    50(125)     10(50)        6(30)        2.0(8)      25KΩ(50KΩ)

NEP(1550nm)pW√Hz最小 .008    .01           .03          .05           0.28

线性范围(±0.2dB) dBm   +10      +10          +8           +8           +8

Case Style(标准)      TO-46(mod.)  TO-46(mod.)  TO-5       TO-5         TO-8

 

最大额定值

型号         GAP500    GAP1000       GAP2000       GAP3000     GAP5000

存储温度ºC  -40到125   -40到125     -40到125       -40到125    -40到125

工作温度ºC  -40到85    -40到85      -40到85        -40到85     -40到85

反向电压 V     20          20            3               2            2

反向电流 mA    10          10           10              10           10

正向电流 mA    10          10            10             10           10

功耗  mW      100         100           50              50           50