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Si/Ge双色光电探测器

电学性能

Type

激活区直径(mm)

波长范围(nm)

峰响应(A/W)

NEP(pW/√Hz)

RSHUNT

(KΩ)

最大反向电压

(V)

漏电流

正向电压(V)

IPH=10mA

(Si)

GM6Si5

(Ge)

5

 

2

400-1000

 

1000-1800

0.5

 

0.6

1.0x10-14

 

1.0x10-12

>1000

 

60

30

 

3

2nA

 

2µA

1.1

 

0.45