客户：    任何人                   

NO.  IAV203

类型：雪崩光电二极管

CUST. DWG

       PKG.

*TO-46 2 lead

MAT  InGaAs

器件标志     

(a)                G

(b)                 IAV203

(C)                DC

A类和/或性能特征

NO.

参数条件@23ºC±2°C

最小

典型

最大

单位

1

波长范围

1000

1630

nm

2

响应率@M=1 1550nm波长

0.85

0.90

0.95

A/W

3

暗电流@M=10

8

25

nA

4

工作电压V_r@M=10

43

55

67

V

5

击穿电压V_br(I_d=10µA)

50

63

75

V

6

激活区直径

200

205

210

µm

7

电容@M=10

1.8

2.2

pF

8

V_br的温度系数(23°C)

0.075

0.080

V/°C

9

带宽@M=5

0.5

1.5

2.0

GHz

10

带宽@M=10

1

1.5

2.0

GHz

11

带宽@M=20

0.5

1.0

1.5

GHz

12

过量噪声因子F@M=10

3.2

3.7

13

过量噪声因子F@M=20

5.5

6.0

14

噪声等效功率NEP@M=10

0.032

0.1

pW/Hz^1/2

15

绝对最大条件

16

工作温度范围

-40

70

°C

17

存储温度范围

-40

85

°C

18

最大反向电流

1

mA

19

最大正向电流

0

10

mA

20

光学输入(10ns脉冲)

>200

kW/cm²

21

光学输入(平均)

0

dBm

特殊要求

*TO-46 2lead封装窗口帽略图#13331, 200微米直径激活区。

对于每一个单位，下列数据是要求的：击穿电压@10µA。工作电压和暗电流增益=10,15和20，响应率(X.XX A/W)@M=1；1550nm. *试验条件@23°C±2°C