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低噪声近红外雪崩光电探测器
 

IAV352雪崩光电二极管    
• 陶瓷小装配
• 350微米直径
• 其它详见如下说明


产品说明
客户：    任何人                   NO.  IAV352

类型：雪崩光电二极管
CUST. DWG.       PKG.*陶瓷的MAT  InGaAs
器件标志      
(a)                G
(b)                 IAV350
(C)                DC
A类和/或性能特征
NO.参数条件@23ºC±2°C最小典型最大单位
1波长范围1000
1630nm
2响应率@M=1 1550nm波长0.850.90.95A/W
3暗电流@M=10
30250nA
4工作电压Vr@M=10375268V
5击穿电压Vbr(Id=10µA)456075V
6激活区直径350352355µm
7电容@M=10
3.24.0pF
8带宽@M=5
0.6
GHz
9带宽@M=10
0.6
GHz
10带宽@M=20
0.6
GHz
11过量噪声因子F@M=10
3.23.7
12过量噪声因子F@M=20
5.56.0
13噪声等效功率NEP@M=10
0.08
pW/Hz1/2
14绝对最大条件



15工作温度范围0
70°C
16存储温度范围-40
85°C
17最大反向电流

1mA
18最大正向电流0
10mA
19光学输入(平均)

0dBm
特殊要求
*陶瓷小装配略图#13344, 350微米直径激活区。 对于每一个单位，下列数据是要求的：击穿电压@10µA。工作电压和暗电流增益=10,15和20,响应率(X.XX A/W)@M=1；1550nm. *试验条件@23°C±2°C