探测器材料

硅

InGaAs

上升/下降时间

＜500ps/＜500ps

＜400ps/＜400ps

转化增益

450V/W @830nm

900V/W @1300nm

电源（VDC）

24

24

带宽

30kHz-1.2GHz

30kHz-1.5GHz

有效面积

400μm

100μm

接受角度（1/2）

10

20

噪声等效功率（pW/√Hz）

＜60

＜30

最大线功率

1.3V

1.3V