普克尔盒&Q开关

量子技术生产三种类型的Pockels细胞，使用高质量的无应变E-O材料晶体：(见信息照片)

1)QS横向电极(TE)BBO晶体Pockels电池(200 nm~1064 nm)，用于高速、高平均功率开关。

(2)系列QC环电极(RE)KD*P晶体Pockels电池(300 nm~1064 nm)，用于低损耗腔内开关。

(3)LN系列(TE型)铌酸锂晶体Pockels电池，用于(800~2500 nm)Q开关和调制。

1)系列QS BBO超级开关具有较低的插入损耗，无谐振工作，并能承受超过20 KW/cm2(CW)的平均功率。在1064 nm处，3mm孔径的交流四分之一波电压为4.0kV.对于腔外使用，建议采用QS-3-2型晶体，半波电压为4.0KV.随着波长的减小，电压线性下降。其独特的特点是其极低的电容小于2 PF，在50欧姆阻抗系统中提供了快速上升时间。BBO具有较高的损伤阈值。晶体表面是AR涂层的专有聚合物涂层和BBO被放置在AR涂层窗口之间。QS-3型是高功率紧凑型二极管泵浦的亚纳秒级固体激光器Q开关的理想选择(数据表718)。

(2)系列QC Pockels电池采用两级氘化晶体，95%KD*P和99%KD*P。第一类适合于开关红宝石激光器(典型的四分之一波电压2.2KV)。第二种类型适用于Nd：YAG激光器(典型的四分之一波电压3.2kV).这些行业标准Q开关有干式或湿式版本.该晶体涂覆聚合物涂层干操作或指数匹配的低损耗在一个房屋与AR涂层窗口。QC-10的直径为35 mm，长度为45 MMS.两种晶体器件，如qc-10-2，在大多数型号中可用于下半波电压操作(数据表722)。

3)LN Pockels系列细胞为腔内Q开关，硬孔为9 mms(LN-9)和16 mms(LN-16)。型号LN-9要求在1064 nm处的直流开关电压为1.5KV.另一种型号的LN-16需要在1064 nm处开关电压为2 KV.这些都是干式的，只有AR涂层表面和AR涂层窗口(数据表738)

4)QB-8型是一种用于8mm激光束低损耗、高光功率处理能力的Brewster KD*P Pockels单元。所有型号都有这些和其他修改，以提高其实用性(数据表729)。

(5)MC-10是一种阻抗匹配的Kd*P Pockels单元，当它在50欧姆(低VSWR)中终止并由合适的高压源驱动时，用于产生皮秒上升时间光脉冲。MC型号只有单晶版本(数据表721)。

6)模型LAP为50 mm大口径KD*P Pockels细胞。

7)具有RTP晶体的Pockels细胞现已问世。

Pockels细胞规范