M方分析系统

 

产品特色：

·满足所有ISO规格精度

·波段范围覆盖紫外到1.6um                                

·适用性强，针对脉冲和连续激光器有不同的产品

·可测高达4KW的高功率产品

·可拆卸的测量单元，单独可用

·M² 值精度: ±5%













产品应用：

·光束传输（M方因子）

·光斑束腰位置

·光斑束腰直径

·发散角

·瑞利范围

·束腰不对称性

·散光





M2Beam

M2Beam U3（新品）

技术

多刀口扫描式，探测器类型：

silicone detector, ingaAs detector ,enhanced ingaAs

2.4百万像素CMOS相机，内置滤光轮，USB3.0接口

光谱范围（nm）

UV- Enhanced：190-1100

Si：350-1100

InGaAs：800-1800

Enhanced InGaAs：800-2700

VIS-NIR: 350-1600 
特殊CMOS技术：

220-1350nm

光斑功率范围

Si:100uW-1W内置滤光片

InGaAs & UV:100uW-5mW

高功率版本：4KW

10uW-100mW内置滤光轮

高功率版本：4KW

刀口数：

7

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光斑尺寸

最大可测25mm直径with lens (Si&UV versions)

束腰到透镜的距离

2.0-2.5m最佳

最小2.0米

 


扫描部件装配：

结构

Aluminium

透镜焦距

300mm（632.6nm）

透镜直径

25mm

扫描步数

140

最小步长

100um

扫描长度

280mm


 

物理尺寸：

重量

2.5Kg

尺寸

100 x 173 x 415 mm

安装孔

M6 or ¼” screws

机械调整范围

Horizontal angle: ±1.5°

Vertical angle: ±1.5°

线长

2.5m

 

产品内部结构图：


订购信息：

M2Beam-Si – measurement device for silicon range (350 – 1100nm)

M2Beam-UV – measurement device for silicon range (190 – 1100nm)

M2Beam-IR – measurement device for silicon range (800 – 1800nm)

M2Beam-U3 - measurement device for 220-1350 nm CMOS based SAM3-HP-M – beam sampler for high power beams