产品特点
● X 切Y 传铌酸锂
● 钛扩散或质子交换波导
● 低驱动电压
● 独立偏置电极
● 零啁啾
● 光纤与芯片精密斜耦合，大大降低
● 背向光反射
● 优异的长期稳定性
技术参数
参数 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
型号 | LIM-1550-3G-PM-FA | |||
半波电压DC直流电极 | V | 6.5 | 7.0 | |
电光带宽S21@-3dB | GHz | 3 | ||
RF 半波电压@DC | V | 3.5 | 4.0 | |
偏置半波电压 | V | 5.0 | ||
抖动 | dB | 0.5 | 1 | |
电回波损耗S110-20GHz | dB | -12 | -10 | |
射频连接器输入电阻 | Ω | 40 | ||
输入阻抗直流连接器 | Ω | >1M | ||
晶体：Lithium Niobate | . | X-cut Y-propagation | ||
波导制作（waveguide process） | APE工艺 | |||
插入损耗 | dB | 3.0 | 4.0 | |
光回波损耗 | dB | <-45 | ||
波长相关损耗（1480-1600nm） | dB | 0.5 | 1.0 | |
直流（DC）消光比 | dB | 20 | 22 | |
输入光纤 | Panda保偏光纤1.5米长，900um | |||
输出光纤 | SMF-28单模光纤1.5米长，900um（PMF可选） | |||
输入RF连接器 | SMA | |||
DC连接器 | Pin feed-through直径：1.0mm | |||
封装尺寸 | mm | 110 x12.5 x9.0 | ||
工作温度 | ℃ | 0~ +70 | ||
存储温度 | ℃ | -40 ~ +85 | ||
DC输入最大电压 | V | ±20 | ||
最大RF输入功率 | dBm | +28 | ||
最大输入光功率 | mW | 200（APE工艺） | ||
备注：1310nm、1064nm、850nm 波长可定制
性能展示：
（S21和S11曲线） （脉冲消光比）
100ps方波脉冲产生
封装及尺寸
产品应用
● 脉冲产生，脉冲整形，脉冲拾取
● 载波抑制
● 光纤传感系统
● 脉冲应用
● 模拟传输
● 激光雷达
订购信息
LIM-W-BW-XX-Y-Z-AB-CD
W波长:
0850: 850nm
1064: 1064nm
1550: 1550nm
BW：电光带宽
3G代表>03GHz
10G代表>10GHz
Y: 输入光纤
P: 代表偏振保持光纤
S: 代表单模光纤
Z：输出光纤
P: 代表偏振保持光纤
S 代表单模光纤
AB：输入光纤连接器
00 代表裸光纤
FA 代表FC/APC
FC 代表FC/SPC
CD：输出光纤连接器
00 代表裸光纤
FA 代表FC/APC
FC 代表FC/SPC