Ce:YAG单晶是一种综合性能优良的快衰变闪烁材料，具有高的光输出（20000光子MeV），快的发光衰减（~70ns），优异的热机械性能，发光峰值波长（540nm）与普通光电倍增管的接收灵敏波长很好地匹配（PMT）和硅光电二极管（PD），良好的光脉冲区分了γ射线和α粒子，Ce:YAG适合于探测α粒子、电子和β射线等带电粒子，特别是Ce:YAG单晶良好的力学性能，使制备厚度小于30um的薄膜成为可能。。Ce:YAG闪烁探测器广泛应用于电子显微镜、β和X射线计数、电子和X射线成像屏等领域。
Ce：YAG闪烁晶体-一种用于白光LED的快速衰减闪烁材料
Ce:YAG单晶在340nm和460nm处有明显的吸收峰，这是Ce3+的特征吸收峰。目前商用白光LED中使用的InGaN蓝光芯片的发射波长为460nm。中心波长460nm的Ce:YAG单晶的宽吸收带表明，它能有效地吸收蓝晶片发出的蓝光，将蓝晶片发出的蓝光和Ce:YAG晶片发出的黄光叠加成白光。此外，Ce:YAG单晶具有良好的热稳定性，这对大功率白光LED器件的制造尤为重要。。随着Ce:YAG晶片厚度的增加，蓝晶片和Ce:YAG晶片封装的白光LED器件的光效率逐渐提高，色温和显色指数逐渐降低，随着晶片厚度的增加，Ce3+的含量相对增加。吸收的蓝光越多，发出的黄光越多，导致晶圆的发光从蓝色变成白色变成黄色。
参数
| 属性 | 数值 |
| 化学式 | Ce:Y3 Al5 O12 |
| 密度 (g/cm3) | 4.55 |
| 熔点(℃) | 1970 |
| 硬度（Mohs） | 8.5 |
| 吸湿性 | 否 |
| 解理面 | 否 |
| 溶解度（g/100gH2O） | N/A |
| 热膨胀（C-1） | 8.5*10-6 |
| 属性 | 数值 |
| 波长（最大发射）（nm） | 550 |
| 波长范围（nm） | 500-700 |
| 衰变时间（ns） | 70 |
| 发光量（光子/ keV） | 35 |
| 折射率（最大发射） | 1.82 |
| 辐射长度（cm） | 3.5 |
| 透光率（％） | TBA |
| 透光率（um） | TBA |
| 反射损耗/表面（％） | TBA |
| 能量分辨率（％） | 7.5 |
| 光电子产率（NaI（TI）%（γ射线用） | 35 |
| 中子俘获截面（靶恩） | TBA |
| 余辉（％） | <0.005 at 6 ms |
良好的能量分辨率
不吸湿性
快衰变时间
高机械阻力
高耐化学性
CT、PET、SPECT
β和X射线计数
成像屏幕
白色LED照明