硼酸铯锂晶体CsLiB6O10(CLBO)是一种新型的非线性光学硼酸盐晶体,在紫外波段具有优异的非线性光学性质。CLBO晶体具有足够大的非线性系数、短的吸收边、大的角度、光谱和温度带宽等非线性光学特性,非常适合于二阶和高阶谐波的产生,是制备紫外和深紫外全固态激光器的优良材料。紫外吸收边达到180nm。在1064nm倍频时,CLBO的有效非线性光学系数大约是KDP的两倍。CLBO晶体可以从低粘度的化学计量熔体中生长出来。
全固态紫外激光器以其体积小、寿命长、效率高、光束质量好、调谐范围宽、谱线窄等优点,广泛应用于机械探伤、光刻、微加工和医学等领域,等,利用大功率近红外相干光源作为基于非线性调谐技术的基频源,通过多级变频产生紫外相干辐射被认为是发展紫外相干光源的重要途径。紫外相干光源的关键问题是研制紫外波段的非线性光学变频晶体。非线性光学晶体是实现频率变换的条件之一,因此对非线性光学晶体的生长、尺寸、损伤电阻、转换效率和允许的参数范围提出了越来越高的要求。
二次谐波转换效率与输入基本脉冲能量的函数的计算结果 CLBO透射光谱 折射率色散 I和II型的相位匹配角随基波波长的变化 其紫外线吸收边缘达到180 nm 高效非线性光学系数 较大的角度,光谱和温度带宽值 高激光损伤阈值 小离散角 高频转换效率 容易长大的单晶 低吸收系数参数
化学式 CsLiB6O10 晶体结构 四方负单轴晶体,42 m 晶格常数 a=10.494Å,c = 8.939Å,Z=4 质量密度 2.461 g/cm3 莫氏硬度 5.5 熔点 1118 K 分子质量 364.706 导热系数 1.25 W/m K 属性 Value 透明范围 180-2750 nm 吸收系数 0.0013 cm−1 折光指数 1.064微米 ne = 1.4340, no = 1.4838 0.532微米 ne = 1.4445, no = 1.4971 Sellmeier方程(λinμm no2 = 2.2104+0.01018/(λ2-0.01424)-0.01258λ2 属性 ne2 = 2.0588+0.00838/(λ2-0.01363)-0.00607λ2 属性 数值 NLO系数 deff(I)=d36sinθmsin(2φ) deff(II)=d36sin(2θm)cos(2φ) 热光系数 dno/dT=-1.9*10-6/℃ dne/dT=-0.5*10-6/℃ 损坏阈值 26 GW/cm2 波长(nm) 相位匹配角(°) 流量(pm / V) 角度公差(mrad·cm) 偏角(°) 光谱接受度(nm·cm) 温度接受度(℃·cm) 532 + 532 = 266 61.7 0.84 0.49 1.83 0.13 8.3 1064 + 266 = 213 68.4 0.87 0.42 1.69 0.16 4.6 λ [μm] 0.2 τp [ns] 0.00014 β × 1011 [cm/W] 120 ± 20 λ[µm] no ne 0.42 1.5058 1.4517 0.45 1.503 1.4493 0.48 1.5006 1.4474 0.5 1.4991 1.4462 0.532 1.4971 1.4445 0.56 1.4957 1.4434 0.59 1.4943 1.4422 0.61 1.4935 1.4414 0.6328 1.4928 1.4409 0.67 1.4915 1.4398 0.7 1.4907 1.4392 0.72 1.4902 1.4387 1.064 1.4838 1.434 d36(0.532 μm) = 0.92 pm/V d14(0.852 μm) = 0.69 pm/V d36(0.852 μm) = 0.83 pm/V d36(1.064μm) = 0.74 pm/V 相互作用波长[μm] θpm [deg] T [◦C] Δθint [deg] ΔT [◦C] SHG, o + o ⇒ e 0.946 ⇒ 0.473 90 -15 5 0.5235 ⇒ 0.26175 65.8 ~160 0.5321 ⇒ 0.26605 62 ~140 61.4 20 0.23 6.2 1.0642 ⇒ 0.5321 29.5 20 0.043 52.7 1.3382 ⇒ 0.6691 27.7 20 68.7 SFG, o + o ⇒ e 1.0642 + 0.26605 ⇒ 0.21284 67.3 20 3.6 1.547 + 0.221 ⇒ 0.19338 61.7 150 1.9079 + 0.2128 ⇒ 0.1914 55 20 1.2 1.0642 + 0.35473 ⇒ 0.26605 50.6 20 6.1 1.0642 + 0.5321 ⇒ 0.35473 39.1 20 18 SHG, e + o ⇒ e 1.0642 ⇒ 0.5321 42.4 20 49.4 SFG, e + o ⇒ e 1.9079 + 0.2128 ⇒ 0.1914 57.4 20 1.1 1.0642 + 0.5321 ⇒ 0.35473 48.9 20 17 λ [μm] τp [ns] Ithr [GW/cm2] Note 0.2 0.00014 >250 1 kHz 0.266 8 17-19 解决问题的增长 0.75 6.4 0.75 10-Sep 位错密度〜1.5×104 cm−3 0.75 15-20 位错密度(0.7至1)×104 cm−3 0.75 25 刺激解决方案的TSSG增长 0.511 20 >0.5 12 kHz 0.527 0.0015 >47 1/6 Hz 0.532 70 >0.043 1 kHz 7 >0.13 10 Hz 0.014 130-520 一列80个脉冲 0.5395 7 >0.67 10 Hz 0.576 8 >0.1 10 Hz 0.8 CW >0.0000038 0.0014 >600 1 kHz 1.053 0.0015 >100 1.064 CW 0.000088 13 >0.35 10 Hz 7 >0.37 10 Hz 1.1 16–19 沿[100]方向 1.1 29 沿[001]方向 λ [μm] τp [ns] Ithr [GW/cm2] Note 0.266 8 1.4–1.6 常规晶体 2 解决问题的增长 1.3–1.5 常规晶体,机械抛光 2.3 常规晶体,离子束刻蚀 1.9 优质晶体,机械抛光 2.9 高质量晶体,离子束蚀刻 折射率的温度导数 dno/dT=-12.8-0.328/λ dne/dT=-8.36+0.047/λ-0.039/λ2+0.014/λ3 有效二阶非线性系数 dooe = −d36sin(θ+ρ)sin 2φ deoe = doee = 2d36sin(θ+ρ)cos(θ+ρ)cos 2φ
应用
全固态紫外线激光器
半导体光刻
PCB钻孔
光学参量振荡器