C10633-34是一款近红外相机,使用640×512像素的InGaAs传感器。其-70 ℃的半导体制冷效果可显著降低暗电流,达到提高像质和长时曝光成像的目的。此外,非破坏性读出提高了信噪比,对弱光成像提供了很高的灵敏度。其独特的真空密封头确保在无需周期性保养的情况下,经过多年也可以具有很好的制冷效果。

特性

--900 nm到1520 nm近红外波段高灵敏度

--高分辨率:640×512像素

--半导体制冷-70℃,暗电流低

--真空密封头,无需保养

--非破坏性读出特性

应用

--使用EL或PL进行太阳能电池和面板的检测

--通信器件研发

--半导体检测

--热成像仪

配置

规格表

型号 C10633-34
成像设备 InGaAs传感器
有效像素数 640 (H)×512 (V)
像素尺寸 20 μm (H)×20 μm (V)
有效面积 12.8 mm (H)×10.24 mm (V)
读出速度 1.6 帧/秒,0.88帧/秒(使用HCImage*1校正)
读出噪声 80电子rms
曝光时间 自由运行模式和外部控制模式边沿触发下1.305 ms(855 μs步长),外部控制模式电平触发下750 μs
制冷方式 半导体+水制冷
制冷温度 -70 ℃(水温+20 ℃)
暗电流 132electron/pixel/s(典型值)
外部触发模式 边沿触发(破坏性读出模式)、电平触发(破坏性读出模式)
信号输出 RS-422
接口 RS-232C
A/D转换 12位
镜头卡口 C卡口
供电 AC100 V 到 AC240 V, 50 Hz/60 Hz
功耗 约80 W
工作温度 0 ℃到+40 ℃
存储温度 -10 ℃到+50 ℃
工作湿度 最大70 % (无凝结情况下)

*1该值为在33 ms曝光时读出噪声和暗电流的总和

光谱响应



尺寸外形