主要特点
升温速率 240°C／min；降温速率 120°C／min
MEMS、红外器件高真空封装炉
95%无空洞焊接
回流焊接工艺， AuSn, SnPb, InPb, SAC
可选择使用惰性气体、氧气、氢气、合成气体
IGBT模块、大功率LED、CPV无空洞封装