The 818-BB-51 High Speed InGaAs Detector is built from a free-space extended InGaAs photodiode with a 40 um active diameter and a fast <28 ps rise time. With the wavelength range of 830 - 2150 nm, it allows monitoring Thulium (Tm) and Holmium (Ho) doped lasers as well as other NIR lasers. It includes a built-in battery-powered 3V bias, an on-off switch and an SMA connector output. The batteries are easily replaceable and by disconnecting the detector from the oscilloscope input, when not in use, you can extend the lifetime of the batteries. It replaces the obsolete Model 818-BB-50.

• 光输入

  Free Space

• 探测器直径

  0.040 mm

• 探测器材料

  Extended InGaAs

• 探测器类型

  PIN

• 接收角

  20°

• 波长范围

  830-2150 nm

• 3 dB 带宽

  DC to 12.5 GHz

• 上升时间

  28 ps

• 响应度

  1.3 A/W @ 2.0 µm

• 输出接头

  SMA

• 放大

  No

• 偏置电压/偏压

  3 V

• 截止频率

  >12.5 GHz

• 暗电流

  <1 u A

• NEP

  <0.44 pW/√Hz @ 2000 nm

• 下降时间

  <28 ps

• 螺纹类型

  8-32 and M4

818-BB-51高速InGaAs探测器是由一个自由空间扩展的InGaAs光敏二极管构成的，该光敏二极管的外径为40um，上升速度快于28ps。波长范围为830 - 2150纳米，它允许监测铥(Tm)和钬(Ho)掺杂激光器以及其他近红外激光器。它包括一个内置电池供电的3V偏置，一个开关和SMA连接器输出。电池很容易更换，通过将检测器从示波器输入端断开，在不使用时，可以延长电池的使用寿命。它取代了老型号818-BB-50。