产品介绍:
Photline Technologies公司的NIR-MX800-LN系列LiNbO3强度调制器特别针对800nm波段设计,和其他近红外(NIR)调制器一样,NIR-MX800系列光强度调制器采用质子交换(proton exchange)波导工艺,具有前所未有的稳定性和高的光折变阈值(photo-refractive threshold)。
应用领域:
• 脉冲产生,脉冲拾取
• 载波抑制
• 量子光学
相关设备和器件:
• 优化设计的外置RF驱动器
• 自动偏置控制器 MBC-DG
产品特点:
• 质子交换波导处理-高非线性效应功率阈值,高光折变效应功率阈值
• 高消光比
• 低驱动电压,低插入损耗
• 单驱动结构-容易使用
• 偏置电极和RF输入分离(强度调制器)
• X-cut高稳定性
• 高电光带宽(>10GHz或更高)
技术指标: (所有指标测试波长为850nm)
参数 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
型号 | NIR-MX800-LN-10 | |||
直流半波电压 | V | 3.5 | 4.5 | |
电光带宽 | GHz | 10 | 12 | |
射频半波电压@50kHz | V | 3.5 | 4.5 | |
电回波损耗 | dB | -12 | -10 | |
抖动 | dB | 0.5 | 1 | |
输入阻抗射频连接器 | Ω | 40 | ||
输入阻抗直流连接器 | MΩ | >1M | ||
晶体:Lithium Niobate | . | X-cut Y-propagation | ||
波导制作(waveguide process) | 质子交换Proton exchange | |||
插入损耗 | dB | 4.5 | 5.5 | |
光回波损耗 | dB | ≤-40 | ||
工作波长 | nm | 780 | - | 850 |
直流(DC)消光比 | dB | 20 | 22 | |
光回波损耗 | dB | -40 | -45 | |
封装尺寸 | mm | 100 x15 x9.5 | ||
工作温度 | ℃ | 10 ~ +65 | ||
存储温度 | ℃ | -40 ~ +85 | ||
偏置电压 | V | ±20 | ||
最大RF输入功率 | dBm | +28 | ||
最大输入光功率 | mW | 20 |
订货信息:
NIR-MX800-LN-10-XX-Y-Z-AB-CD
BW:电光带宽 10--- 10GHz
Y:输入光纤;P代表偏振保持光纤;S代表单模光纤
Z:输出光纤;P代表偏振保持光纤;S代表单模光纤
AB:输入光纤连接器 00代表裸光纤;FA代表FC/APC;FC代表FC/SPC
CD:输出光纤连接器 00代表裸光纤;FA代表FC/APC;FC代表FC/SPC