产品介绍:
Photline公司MX-LN系列LiNbO3强度调制器是一个完整的产品家族，其中MX-LN-10高性能强度调制器适合于10Gb/s速率的集成数字传输系统或者模块。
MX-LN强度调制器采用钛扩散铌酸锂波导（Titanium In-diffused Lithium Niobate Waveguide）制作，器件具有长时间的稳定性和与工作温度无关的性能表现。
由于MX-LN系列强度调制器采用了无啁啾（Chirp-free）X-Cut设计，该系列调制器可以作为长距离和超常距离传输系统的理想器件。
无论是点到点（Point-to-Point）还是密集波分复用（DWDM）传输系统，MX-LN系列强度调制器都可以在RZ/NRZ和Duobinary调制制式下具有同样出色的性能表现。
应用领域:
• DWDM传输系统，C波段和L波段工作
• 12.5Gb/s有效速率传输系统
可选项：
• 内置监控光电探测器，可集成RF驱动器
• 输入输出光纤可选
• 1300nm波段器件可选
可配置的附件：
• 优化设计的外置RF驱动器：DR-GA系列
• 偏置控制器 MBC-1000
产品特点:
• 更宽的工作带宽适合于有效的前向纠错（FEC）实现和12.5Gb/s的有效传输速率系统
• SONET OC-192和SDH STM-64兼容
• 针对NRZ和RZ调制机制优化设计
• 工作波长范围宽适合DWDM传输系统C波段和L波段
• 偏置电极和RF输入分离
• 低驱动电压
• 高电光带宽（10GHz或更高）
技术指标:
参数 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
型号 | MX-LN-10 | |||
半波电压DC直流电极 | V | 6.5 | 7.0 | |
电光带宽S21@-3dB | GHz | 10 | 12 | |
半波电压RF电极@50kHz | V | 5.1 | 5.5 | |
半波电压RF电极@10Gb/s PRBS | V | 5.5 | 6.0 | |
抖动 | dB | 0.5 | 1 | |
电回波损耗S110-12GHz | dB | -12 | -10 | |
射频连接器输入电阻 | Ω | 40 | ||
输入阻抗直流连接器 | Ω | >1M | ||
内置光电探测器灵敏度（和输入功率有关）（参见说明） | A/W | 0.015 | 0.025 | 0.035 |
晶体：Lithium Niobate | . | X-cut Y-propagation | ||
波导制作（waveguide process） | 钛扩散Titanium Indiffusion | |||
插入损耗 | dB | 4.0 | 5.0 | |
光回波损耗 | dB | <-40 | ||
波长相关损耗（1480-1600nm） | dB | 0.5 | 1.0 | |
直流（DC）消光比 | dB | 20 | 22 | |
动态消光比@10Gb/s PRBS NRZ | dB | 13 | 14 | |
内置光电探测器消光比（参见说明） | dB | 3 | 6 | |
输入光纤 | Panda保偏光纤1.5米长，900um | |||
输出光纤 | SMF-28单模光纤1.5米长，900um（PMF可选） | |||
输入RF连接器 | Wiltron Female K | |||
DC连接器 | Pin feed-through直径：1.0mm | |||
光电二极管输出连接器（选用时） | Pin feed-through直径：1.0mm | |||
封装尺寸 | mm | 100 x15 x9.5 | ||
工作温度 | ℃ | 0~ +70 | ||
存储温度 | ℃ | -40 ~ +85 | ||
DC输入最大电压 | V | ±20 | ||
最大RF输入功率 | dBm | +28 | ||
最大输入光功率 | mW | 100 | ||
说明： 当选用内置光电探测器时的指标。
订货信息:
MX-LN-BW-XX-Y-Z-AB-CD
BW：电光带宽 10代表>12GHz; 20代表>18GHz
XX: 00 无内置光电探测器；PD内置光电探测器
Y：输入光纤；P代表偏振保持光纤；S代表单模光纤
Z：输出光纤；P代表偏振保持光纤；S代表单模光纤
AB：输入光纤连接器 00代表裸光纤；FA代表FC/APC；FC代表FC/SPC
CD：输出光纤连接器 00代表裸光纤；FA代表FC/APC；FC代表FC/SPC