_参数

条件

单位

最小值

典型值

最大值

型号

LU1055M200

峰值工作波长

nm

1050

1055

1060

输出功率

mW

200

工作前向电流

输出功率150mW

mA

430

480

光谱宽度 FWHM

nm

2

阀值电流

mA

50

100

前向电压

在工作电流情况下

V

1.57

1.85

光谱随温度漂移

芯片温度

nm/℃

0.3

输出功率稳定度

60秒

%

0.5

输出偏振

Ex facet from chip

dB

40

单模抑制比

带FBG

dB

-20

脉冲工作输出功率

10KHz/0.2us

W

1

脉冲工作输出功率

10KHz/0.1us

W

2

监测光电二极管响应度

uA/mW

0.1

0.5

10

监测光电二极管暗电流

nA

5

40

光纤类型

Corning HI 1060 NA=0.14,保偏可选

光纤弯曲半径

mm

25

TE Cooler电流

芯片25℃,模块70℃

A

0.8

TE Cooler电压

芯片25℃,模块70℃

V

2.1

热敏电阻值 （25℃）

KΩ

9.5

10

10.5

热敏电阻连续性

K

3200

3410

3600

_参数

单位

最小值

最大值

存储温度

℃

-40

+85

模块工作温度

℃

-20

+70

芯片工作温度

℃

+20

+30

焊接温度 （10秒）

℃

+260

LD前向电流

mA

500

LD前向电流（200ns脉冲30us间隔）

A

2

LD反向电压

V

0.3

监控器前向电流

mA

5

监控器反向电压

V

20

TEC电流

A

1.8

TEC电压

V

3.2

ESD Damage

V

500