磷化镓晶体产品简介        

       磷化镓晶体是一种人工合成的化合物半导体材料。外观：橙红色透明晶体。磷化镓是一种由ⅢA族元素镓(Ga)与VA族元素磷(P)人工合成的Ⅲ- V族化合物半导体材料。磷化镓的晶体结构为闪锌矿型，晶格常数5.447±0.06埃，化学键是以共价键为主的混合键，其离子键成分约为20%，300K时能隙为2.26eV，属间接跃迁型半导体。磷化镓与其他大带隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体(如GaAS、 InP)相同，可通过引入深中心使费米能级接近带隙中部，如掺入铬、铁、氧等杂质元素可成为半绝缘材料。目前尚未得到非掺杂半绝缘材料。

      （110）晶向的GaP晶体常常被用在太赫兹时域光谱仪中作为探测晶体探测太赫兹脉冲，其横光学支声子线在11THz。通常可探测的频谱宽度在0.1-6.5THz。


中文名：磷化镓

外文名：Gallium phosphide

分子式：GaP

分子量：100.6968




实验结果图为40fs钛蓝宝石激光泵浦宽谱光电导天线，400um厚GaP晶体探测的结果

GaP磷化镓晶体型号列表


品名
型号

晶向

尺寸（mm）厚度(mm)
GaP磷化镓晶体
GaP-110-5-0.03     
11-cut
5*50.03

GaP磷化镓晶体     

GaP-110-10-0.05      

11-cut

10*100.05

GaP磷化镓晶体

GaP-110-10-0.1

11-cut

10*100.1

GaP磷化镓晶体

GaP-110-10-0.3

11-cut

10*10
0.3

GaP磷化镓晶体

GaP-110-10-0.4

11-cut

10*10
0.4

GaP磷化镓晶体

GaP-110-10-0.5

11-cut

10*10
0.5

GaP磷化镓晶体

GaP-110-10-1

11-cut

10*10
1
GaP磷化镓晶体
GaP-110-10-2
11-cut
10*10
2
GaP磷化镓晶体
GaP-110-10-2.5
11-cut10*102.5
GaP磷化镓晶体
GaP-110-10-10-0.1-3

 110]晶体，

厚度300um的[切向GaP光学贴合在厚度3mm的 [100] 切向GaP磷化镓晶体衬底上


(a)其他规格要求可以定制

(b)GaP磷化镓晶体可以安装在外径25.4mm的晶体安装环中


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