APD12703雪崩光电探测器

APD12703

300～1000nm

产品描述：

雪崩光电探测器(APD)设计用于提供比标准 PIN 探测器更强的灵敏度和更低的噪声，非常适合于低光功率级别的应用。我们除了标准的 APD 之外，还提供具有可变增益(即M因子)的版本。

一般而言，雪崩光电二极管利用内部增益机制来增加灵敏度。将一个较高的反向偏压施加到该二极管来产生强电场。当入射光子产生一个电子空穴对时，电场使电子加速，导致由碰撞电离产生次级电子。所产生的电子雪崩将产生几百倍的增益因子，用倍增因子M表示，M 与反向偏压和温度呈函数关系。一般而言，M 因子随温度降低而增大，随温度升高而减小。类似地，M因子将在反向偏置电压升高时增大，在反向偏置电压降低时减小。

APD12703集成了热敏电阻，可调节偏置电压，以补偿温度变化对M因子产生的影响。

技术指标：

响应曲线：

注：响应曲线为典型值，仅供参考。

封装信息：

订货信息：