Heidelberg Instruments多功能激光直写光刻机
DWL66+
DWL 66+ 兼具超强多功能性、专业级灰度光刻能力，拥有市场直写激光系统中最高分辨率，专为MEMS、微电子、微流体、光学、光子学、量子设备等领域研发与快速原型设计打造，适配各类微结构制备需求。
DWL 66+目前已经被海德堡仪器(Heidelberg Instruments)广泛用于高精度、多功能微纳结构制备，面向研发与小规模掩模制作，是全球高校、科研机构与企业广泛使用的微纳加工核心设备。
优势特点
|
超高分辨率 搭载高精度直写模式，可实现超精细微纳结构加工，最小特征尺寸达200纳米，分辨率领先同行光刻设备，能稳定制作精细图形与微小间隙结构，满足高端微纳加工需求。 |
套刻稳定 对位与套刻精度表现突出，多层套刻稳定可靠，搭配高精度坐标系统后大幅提升大面积对位精度，保障复杂多层结构加工的精准匹配。 |
兼顾精度与效率 提供多档写入模式，高精度与高效率灵活兼顾，可按需切换精细直写与快速加工模式，兼顾科研研发与小批量制备，适配不同效率需求场景。 |
兼容性强 基底兼容性强，支持多种尺寸与厚度基底，可处理平面与非平面基材，兼容掩模与晶圆类工件，满足多样化基材与特殊结构加工需求。 |
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其他特点
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应用
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技术参数
|
参数 |
XR |
I |
II |
III |
IV |
V |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
最小特征尺寸(μm) |
0.2 |
0.6 |
0.8 |
1 |
2 |
4 |
|
最小线宽(μm) |
0.3 |
0.8 |
1 |
1.5 |
3 |
5 |
|
寻址网格(nm) |
5 |
10 |
25 |
50 |
100 |
200 |
|
边缘粗糙度(nm) |
50 |
50 |
70 |
80 |
110 |
160 |
|
CD均匀性(nm) |
60 |
70 |
80 |
130 |
250 |
400 |
|
5×5mm2第二层套刻精度(nm) |
250 |
250 |
250 |
250 |
350 |
500 |
|
100×100mm2第二层套刻精度(nm) |
500 |
500 |
500 |
500 |
800 |
1000 |
|
背面套刻精度(nm) |
1000 |
|||||
|
405nm二极管激光写入速度(mm2/min) |
3 |
13 |
40 |
150 |
600 |
2000 |
|
375nm紫外二极管激光写入速度(mm2/min) |
2 |
10 |
30 |
110 |
- |
- |
*写入速度由特定像素网络的200mm×200mm光栅模式曝光计算得
配置
|
参数 |
描述 |
|---|---|
|
光源 |
375nm或405nm二极管激光 |
|
基板尺寸 |
5mm×5mm-9"×9" |
|
基板厚度(mm) |
0-12 |
|
最大曝光区域(mm) |
200×200 |
|
环境条件 |
温度稳定±1℃，IS04 |
|
实时自动对焦 |
光学自动对焦或空气测距自动对焦 |
|
自动对焦补偿范围(μm) |
80 |
|
标准或高级灰度模式 |
分别为128或32768个灰度级 |
|
矢量模式 |
可实现无接缝线写入 |
|
全景相机 |
13×10mm2视场有助于对准标记物和基板导航 |
|
背面套刻精度(可选) |
可实现曝光与基底背面结构的对准 |
|
主机机箱(W×D×H) |
1300mm×1100mm×1950mm(仅光刻机) |
|
质量 |
1000kg(仅光刻机) |
|
电源 |
230VAC±5%,50/60hs,16A |
|
压缩空气(bar) |
6-10 |
高级选项
|
参数 |
描述 |
|---|---|
|
高精度坐标模式 |
包含金板校准与气候监测功能：第二层套刻精度范围从100×100mm2拓展到350nm |
|
专业灰度模式 |
65536灰度等级，专业数据转换软件 |
|
自动装载系统 |
采用两个载片台、校准器和晶圆扫描器处理最多7"掩膜和最多8"晶圆 |
原理
设备
灰度光刻
性能
应用
斜率为10-70°的光栅
衍射元件DOE
扩散器
在500μm深槽处绘制Fraunhofer标志
