SOI芯片光电探测器阵列


SOI芯片式光电探测器阵列，该产品基于硅基锗-硅光电探测器，实现了多通道光电探测器的单片化集成，可片上集成光学混频器，芯片尺寸小，集成度高，偏振相关性小，模拟带宽大，可提供裸片或光电一体化封装产品方案。

特性

应用

规格参数

参数指标

Parameters

单位

Unit

最小值

Min.

典型值

Typ.

最大值

Max.

备注

Notes

波长范围

Wavelength range

nm

1530—1570 nm  or  1270nm—1330 nm

 

暗电流

Dark current

nA

35


50


3 dB模拟带宽

3 dB bandwidth

GHz



28


光饱和功率

Optical saturation power

mW

10




响应度

Responsibility

A/W

0.8


0.85


90度光学混频器损耗

90°mixer loss

dB

6

6.5

6.7


90度光学混频器相位失衡度

90°mixer phase unbalance

°

5




通道数

Number of channels


8或可定制

8 or Can be customized


光纤接入损耗

Insertion loss

dB

≤0.5


偏振相关损耗

PDL

dB

≤0.3


工作温度范围

Operating temperature range

°C

-20


50


工作湿度范围

Operating humidity range

%



+65


芯片尺寸

Chip Dimensions

mm

4(L)×5(W)×0.5(H)




芯片尺寸


订货信息

ZG

波长

Wavelength

通道数

Number of channels

类型

Type


13=1310nm

15=1550nm

1=1CH

4=4CH

8=8CH

16=CH

48=48CH

XX=other

 

 

1=光电探测器

1=PD

2=混频器

2=Mixer

XX=other