晶体的主要特征
- 低价格
- 高效率
- 小尺寸
- 容易封装到DPSS激光器系统中
规格参数
| 型号 | 模组/芯片长度 | 模组/芯片宽度 | 模组/芯片厚度 | 端面镀膜 | 端面镀膜（2） | 光光效率 | 工作温度 | 温度范围 |
500毫瓦 mGreen-500 芯片组件
| 7 （毫米） | 4.5（毫米） | 2（毫米） | 输入： HT@808 nm, HR@1064 nm, HR@532 nm 输出： HR@1064 nm, HT@532 nm | ≥ 20 % | ~ 33 oC | > 25 oC（FWHM 全宽半高） | |
1000毫瓦 mGreen-1000 芯片组件
| 7 （毫米） | 4.5（毫米） | 2（毫米） | 输入： HT@808 nm, HR@1064 nm, HR@532 nm 输出： HR@1064 nm, HT@532 nm | ≥ 20 % | ~ 33 oC | > 25 oC（FWHM 全宽半高） | |
1 – 3 Watt Discrete MgO:PPLN Chips
| 1.0 – 2.0（毫米） | ~ 2（毫米） | 0.5（毫米） | 输入： AR@1064 nm, AR@532 nm, 输出： AR@1064 nm, AR@532 nm （有输出镜） | 输入： AR@1064 nm, AR@532 nm, 输出： HR@1064 nm, HT@532 nm （无输出镜） | ≥ 30% | ~33 oC（1毫米长PPLN） | > 25 oC（FWHM 全宽半高） |
200毫瓦microchip芯片组件
| ~ 2（毫米） | ~ 2（毫米） | 0.5（毫米） | 输入：HT@808 nm, HR@1064 nm, HR@532 nm 输出：HR@1064 nm, HT@532 nm | ≥ 20 % | ~ 33 oC | > 25 oC（全宽半高） |