雪崩光电二极管

高灵敏度和低噪声

高速响应

微光测量

这些雪崩光电二极管（APDs）是具有内部增益机制的硅光电二极管。和传统的光电二极管一样，吸收入射光子会造成电子和空穴对。一个高反向偏置电压产生一个强有力的内部电场，加速了通过硅晶格的电子，并通过碰撞电离产生二次电子。由此引起的电子雪崩可以产生数百倍的放大增益。

硅雪崩光电二极管通常在两种情况下使用，一种是当光信号对于光电倍增管而言过强，另一种则是光信号对于常规光电二极管而言过弱。硅雪崩光电二极管常常用于高速应用，因为雪崩过程中产生的多余噪声仍然低于外部放大器连接到高频运作的常规光电二极管所产生的噪声。典型的应用包括微光测量，光谱，测距和空间/光纤通信。我们的短波长型和近红外检测类型都密封在一个带有透明玻璃窗口的金属封装中。

近红外和紫外/可见光硅雪崩光电二极管，分别针对800纳米波长和600纳米波长。在λ=800nm 和λ=650nm波长获得的增益，分别为近红外和紫外/可见光硅雪崩光电二极管。†根据列表中的增益测量终端电容。