主要特点
▪ 高分辨率：4608 x 2592（1200万像素）
▪ 高速：121帧/秒（全分辨率）
▪ 读取噪声：2.0 electrons rms（标准满阱容量模式）
▪ 像素尺寸：5.5μm×5.5μm
▪ 动态范围17000：1（高满阱容量模式）
▪ 峰值QE：60％（550 nm）
光谱响应
参数指标
参数 | 指标 | ||
型号 | C14120-20P | ||
像素 | 4608×2592 | ||
像元 | 5.5×5.5μm | ||
传感器面积 | 25.344×14.256mm | ||
峰值QE | >60%@550nm | ||
暗电流 | 15e/pixel/s（风冷20℃） | ||
制冷温度 | 风冷20℃，水冷静音20℃ | ||
数据接口 | 高速CoaXPress-6x4 线（配采集卡） | ||
Binning | 2×2,4×4 | ||
尺寸 | 110×110×235mm | ||
开机时环境温度 | 0℃ -40℃ | ||
开机时环境湿度 | 30% -80% | ||
满阱模式 | 标准满阱模式（高速低噪） | 高满阱模式（避免过曝） | |
满阱容量 | 1000电子 | 38000电子 | |
读出噪声 | 1.5电子中值/ 2.0电子均方根 | 2.2电子中值/ 2.7电子均方根 | |
动态范围 | 650：1 | 17000：1 | |
位深 | 12 bit | 16 bit | |
曝光时间 | 6.304μs – 1s | 50.432μs – 1s | |
PRNU（光响应不一致性） | - | 不大于3% （在20 000 电子信号处） | |
DSNU（暗信号不一致性） | 0.5 电子均方根 | ||
| EMVA 1288标准： 不大于1% | ||
信号强度小于500时： 不大于1% | |||
| 沿触发、各行同时开始曝光沿触发（Global reset edge ）、电平触发、各行同时开始曝光电平触发（Global reset level）、Synchronous readout trigger（两或多触发沿之间的时间间隔为曝光时间）、start trigger （接收到触发沿之后开始在内触发模式下连续拍照） | ||
外触发接口 | SMA | ||
外触发电平要求 | 时长0s 到10s之间，最小单位1μs，电平3.3V LVCMOS level | ||
读出模式 | 标准读出模式/光片读出模式 | ||
光 片 读 出 模 式 | 读出时间 (4608x 2592) | 8.2ms – 129.6ms (4行的可设置范围12.608μs – 200μs) | 32.7ms – 129.6ms (4行的可设置范围50.432μs – 200μs) |
最小读出间隔 (4608 x 2592) |
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读出模式 | 全幅/子阵列单独成像 | ||
读出方向 | 向前读出（单向） | ||
亮点矫正 | 可开关（默认开启） | ||