在半导体制造中，晶圆缺陷检测是确保芯片良率和性能的核心环节，而电阻率（RES）作为衡量半导体材料电学特性的关键参数，直接影响器件的性能与缺陷的形成，所以对电阻率的测量在晶圆缺陷检测中发挥着重要的作用：

1、工艺缺陷的早期识别，电阻率异常通常可以反映制造工艺中的关键问题，例如：掺杂浓度偏差：离子注入或退火工艺的失误会导致载流子浓度异常；如果电阻率偏离设计值，可能会引发晶体管阈值电压（Vth）漂移或漏电流（Ioff）升高；另外电阻率与薄膜厚度密切相关，若化学气相沉积（CVD）或物理气相沉积（PVD）工艺失控，电阻率分布不均可能引发局部短路或断路；同时光刻或蚀刻工艺的微小误差会导致线宽变化，电阻率异常可能成为此类缺陷的间接指标。

2、良率管理与成本控制，通过电阻率测量，我们可以快速筛选出工艺参数超标的晶圆，避免缺陷晶圆流入后续封装环节。例如，高阻硅片（>1000 Ω·cm）若未及时剔除，可能在高压应用中因热失控导致器件失效。此外，电阻率数据还可用于优化工艺窗口，提升产线整体良率。

3、先进封装与新型材料的挑战，在3D-IC、混合键合等先进封装技术中，电阻率均匀性直接影响互连结构的可靠性。例如，键合界面处的电阻率突变可能导致信号传输延迟或功耗增加。对于碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽禁带材料，电阻率测量更是评估材料结晶质量的核心手段。

那目前晶圆电阻率测量主要采用四点探针法、霍尔效应测量法和涡流法。四点探针法通过四探针接触式测量减少接触电阻影响，具有高精度和适用均匀材料的优点，但有可能会损伤样品且不适用于超薄或敏感表面；霍尔效应法则是通过外加磁场获取电阻率及载流子参数，适用于半导体分析，但需要制备特定结构且属于破坏性检测，同时设备比较复杂；涡流法利用电磁感应实现非接触快速测量，非常适合在线检测，但对材料厚度和均匀性敏感，高电阻率材料精度有限。

针对以上检测方法的局限性，使用太赫兹光电倍增管进行晶圆电阻率的测量成为一种新的检测手段，由于半导体材料对太赫兹具有独特的反射特性，利用这一原理，可以在非接触的情况下测量半导体表面的电学性能。

使用太赫兹光电倍增管可以高灵敏度地检测到硅片表面电阻率的微小变化，这是传统热探测器难以分辨的，同时非接触式的测量，也不会造成样品的损坏。

其中使用到的太赫兹光电倍增管是目前滨松最新研发的光电倍增管，通过使用超表面材料代替传统的阴极面，实现将太赫兹波转换为电子，然后通过后续的倍增，实现太赫兹波到电的转换测量，是一种最新的太赫兹波的检测手段。

太赫兹光电倍增管除了应用在晶圆的电阻率测量以外，还可以使用太赫兹光电倍增管进行气体分析测量和水汽的测量等。探测器的创新研究可以推动不同应用发展，我们希望在未来太赫兹光电倍增管能够发挥更大的价值，也欢迎各位感兴趣的工程师和我们交流。

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