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搭载两个InGaAs芯片（截止波长：1.65μm, 2.15 μm)近红外图像传感器（0.95μm~2.15 μm) G12230-512WB是为近红外通道分光测光设计的InGaAs线阵图像传感器。并列配置2个高精度不同遮段波长的InGaAs芯片，实现在光灵敏度波长范围内的高S/N。CMOS芯片内部包含电荷放大器、移位寄存器和时序产生器。电荷放大器是由铟镓砷二极管阵列的每个像素与CMOS晶体管连接而成。每个像素的信号是在电荷积分模式下读出，因此获得近红外波段的高灵敏度和工作稳定性。采用气密封装的方式，故而
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