Terasense的相机探测器部分基于 GaAs 异质结高效的载流子迁移率,利用传统光刻蚀的方法制造。成像传感器制做在一个单独的晶圆上。 整个过程确保了等离子体探测器各项参数的稳定性和高的响应度(像素-像素之间的响应度偏离 20%之内) 。每个独立的探测单元在室温下的响应度高达 50KV/W,在 10GHz-1THz 之间的噪声等效功率为 1nW/Hz 1/2 。探测器的探测机制是基于在二维电子系
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